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FQI9N08LTU |
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | Fairchild Semiconductor | 168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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FQI9N08LTU参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：80V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：210 毫欧 @ 4.65A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 25V 功率 - 最大值：3.75W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 晶体管(BJT) MMBT2222AWT1 铝电容器B43041A5686M 时钟/计时 - 时CDC421100RGERG4 电源输入 - 输入EAC405040 端子 - 铲形PN14-6SLF-M PMIC - 监控BU4824G-TR FET - 单TK50P03M1(T6RSS-Q) 晶体ABLS-LR-5.000MHZ-T 数据采集 - 数模MX7228KP T Card EdgeACC08DRXS-S734 |
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